7th IMRMPT

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English title:	A study of the electronic properties of the g-ZnO/graphene interface with and without impurities derived from chrome, manganese, and copper.
Spanish title:	Un estudio de las propiedades electr�nicas de la interfaz g-ZnO/grafeno con y sin impurezas de cromo, manganeso y cobre
English abstract:	This work discusses the study of the structural and electronic properties of the g-ZnO/graphene interface with and without substitutions of Zinc (Zn) atoms by chrome (Cr), manganese (Mn), and copper (Cu) atoms. The calculations are based on the density functional theory (DFT) within the Perdew-Burke-Ernzerhof generalized gradient approximation (PBE-GGA) with ultrasoft pseudopotentials and a plane wave basis. The interface is modeled using the periodic slab scheme. A g-ZnO monolayer is coupled to a graphene monolayer with a mismatch below 3%. To satisfy the coupling conditions, the g-ZnO 3x3 / graphene 4x4 reconstruction is selected. For substitutions of Zn atoms at the interface, some Zn atoms located at special lattice points are chosen: Zn located at the origin of the coordinate system (point I), Zn located just above a point centered on the hexagon of the substrate graphene (point II) and Zn located just above a C atom (point III). The electronic properties of the g-ZnO/graphene interface with and without chromium, manganese and copper impurities are established through the density of states (DOS), band structure and Bader or L�wdin charge.
Spanish abstract:	En este trabajo, se realiza un estudio de las propiedades estructurales y electr�nicas de la interfaz g-ZnO/grafeno con y sin sustituciones de �tomos de zinc (Zn) por �tomos cromo (Cr), manganeso (Mn) y cobre (Cu). Los c�lculos se realizan usando la Teor�a Funcional de Densidad (DFT) dentro de la aproximaci�n de gradiente generalizado de Perdew-Burke-Ernzerhof (GGA-PBE) con seudopotenciales ultrasuaves y una base de ondas planas. La interfaz se modela utilizando el esquema de slab peri�dico. Una monocapa de g-ZnO se acoplada a una monocapa de grafeno con un desajuste (mismatch) menor al 3%. La monocapa de grafeno solo se usa como un sustrato para la monocapa g-ZnO. Para satisfacer la condici�n de acople, se escoge la reconstrucci�n g-ZnO 3x3 / grafeno 4x4. Para las sustituciones de �tomos de Zn en la interfaz, se escogen algunos �tomos de Zn ubicados en puntos especiales de la red: Zn ubicado en el origen del sistema de coordenadas (punto I), Zn ubicado justo por encima de un punto centrado en el hex�gono del sustrato grafeno (punto II) y Zn ubicado justo por encima de un �tomo de C (punto III). Las propiedades electr�nicas de la interfaz g-ZnO/grafeno con y sin impurezas de cromo, manganeso y cobre, se establecen a trav�s de la densidad de estados (DOS), estructura de bandas y carga Bader o L�wdin.
Topic:
Presentation Type:
Speaker:

Authors

Name	Institution	Email
Miguel J. Espitia-Rico	Facultad de Ciencias Matem�ticas y Naturales, Universidad Distrital Francisco Jos� Caldas	mespitiar@udistrital.edu.co
C�sar Ortega L�pez	Universidad De C�rdoba	cesarorlo@gmail.com
Gustavo Berrio	Universidad de C�rdoba	gberrioc@gmail.com

Presentation

Room:	Principal Room
Date:	June 9, 2023
Hour:	08:20 - 08:40

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7^th IMRMPT
Seventh International Meeting for Researchers in Materials and Plasma Technology

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